Знание Что такое напыление под давлением? (Объяснение 4 ключевых факторов)
Аватар автора

Техническая команда · Kintek Solution

Обновлено 3 месяца назад

Что такое напыление под давлением? (Объяснение 4 ключевых факторов)

Напыление обычно происходит при давлении в диапазоне мТорр, в частности, от 0,5 мТорр до 100 мТорр.

Такой диапазон давлений необходим для облегчения процесса напыления.

В этом процессе материал мишени бомбардируется ионами из плазмы, обычно аргоновой.

В результате атомы из мишени выбрасываются и осаждаются на подложке.

Какое давление используется для нанесения покрытия методом напыления? (Объяснение 4 ключевых факторов)

Что такое напыление под давлением? (Объяснение 4 ключевых факторов)

1. Базовое давление и подача газа

Перед началом процесса напыления вакуумная камера откачивается до базового давления.

Это базовое давление обычно находится в диапазоне 10^-6 мбар или ниже.

Такая высоковакуумная среда обеспечивает чистоту поверхностей и минимальное загрязнение от остаточных молекул газа.

После достижения базового давления в камеру вводится напыляющий газ, обычно аргон.

Расход газа может значительно варьироваться: от нескольких кубометров в исследовательских установках до нескольких тысяч кубометров в производственных условиях.

2. Рабочее давление при напылении

Давление в процессе напыления контролируется и поддерживается в диапазоне мТорр.

Этот диапазон эквивалентен 10^-3 - 10^-2 мбар.

Это давление очень важно, поскольку оно влияет на средний свободный путь молекул газа и эффективность процесса напыления.

При таких давлениях средний свободный путь относительно короткий, около 5 сантиметров.

Это влияет на угол и энергию, с которой распыленные атомы достигают подложки.

3. Влияние давления на осаждение

Высокая плотность технологического газа при таких давлениях приводит к многочисленным столкновениям между напыленными атомами и молекулами газа.

В результате атомы попадают на подложку под случайными углами.

Это отличается от термического испарения, при котором атомы обычно подходят к подложке под нормальными углами.

Присутствие технологического газа вблизи подложки также может привести к поглощению газа в растущей пленке.

Это может привести к появлению микроструктурных дефектов.

4. Электрические условия

Во время процесса напыления к материалу мишени, который выступает в качестве катода, прикладывается постоянный электрический ток.

Этот ток, обычно в диапазоне от -2 до -5 кВ, помогает ионизировать газ аргон и ускоряет ионы по направлению к мишени.

Одновременно положительный заряд прикладывается к подложке, которая выступает в качестве анода.

Это притягивает распыленные атомы и облегчает их осаждение.

В общем, давление при нанесении покрытия тщательно контролируется и находится в диапазоне мТорр.

Это оптимизирует процесс напыления для эффективного и результативного осаждения материалов на подложки.

Такой контроль давления необходим для управления взаимодействием между распыленными атомами и технологическим газом.

Это обеспечивает качество и свойства осажденной пленки.

Продолжайте исследовать, проконсультируйтесь с нашими специалистами

Откройте для себя точность и контроль процесса нанесения покрытий напылением с помощью передового оборудования KINTEK SOLUTION.

Наша технология гарантирует оптимальные условия напыления, обеспечивая непревзойденную производительность и превосходное качество пленки при точном давлении в мТорр.

Доверьте KINTEK SOLUTION свои потребности в прецизионных покрытиях и поднимите свои исследования или производство на новую высоту.

Свяжитесь с нами сегодня и почувствуйте разницу в превосходстве систем нанесения покрытий напылением!

Связанные товары

Печь для спекания под давлением воздуха 9MPa

Печь для спекания под давлением воздуха 9MPa

Печь для спекания под давлением - это высокотехнологичное оборудование, широко используемое для спекания современных керамических материалов. Она сочетает в себе технологии вакуумного спекания и спекания под давлением для получения керамики высокой плотности и прочности.

Вакуумная печь для горячего прессования

Вакуумная печь для горячего прессования

Откройте для себя преимущества вакуумной печи горячего прессования! Производство плотных тугоплавких металлов и соединений, керамики и композитов при высоких температурах и давлении.

Вакуумная трубчатая печь горячего прессования

Вакуумная трубчатая печь горячего прессования

Уменьшите давление формования и сократите время спекания с помощью вакуумной трубчатой печи для горячего прессования высокоплотных и мелкозернистых материалов. Идеально подходит для тугоплавких металлов.

Печь для искрового плазменного спекания SPS-печь

Печь для искрового плазменного спекания SPS-печь

Откройте для себя преимущества печей искрового плазменного спекания для быстрой низкотемпературной подготовки материалов. Равномерный нагрев, низкая стоимость и экологичность.

Холодный изостатический пресс для производства мелких деталей 400 МПа

Холодный изостатический пресс для производства мелких деталей 400 МПа

Производите однородные материалы высокой плотности с помощью нашего холодного изостатического пресса. Идеально подходит для уплотнения небольших заготовок в производственных условиях. Широко используется в порошковой металлургии, керамике и биофармацевтике для стерилизации под высоким давлением и активации белков.

Вакуумная печь для спекания под давлением

Вакуумная печь для спекания под давлением

Вакуумные печи для спекания под давлением предназначены для высокотемпературного горячего прессования при спекании металлов и керамики. Его расширенные функции обеспечивают точный контроль температуры, надежное поддержание давления, а прочная конструкция обеспечивает бесперебойную работу.

Плазменное осаждение с расширенным испарением PECVD машина покрытия

Плазменное осаждение с расширенным испарением PECVD машина покрытия

Усовершенствуйте свой процесс нанесения покрытий с помощью оборудования для нанесения покрытий методом PECVD. Идеально подходит для производства светодиодов, силовых полупроводников, МЭМС и многого другого. Осаждает высококачественные твердые пленки при низких температурах.

Теплый изостатический пресс (WIP) Рабочая станция 300 МПа

Теплый изостатический пресс (WIP) Рабочая станция 300 МПа

Откройте для себя теплое изостатическое прессование (WIP) — передовую технологию, позволяющую формировать и прессовать порошкообразные изделия с помощью равномерного давления при точной температуре. Идеально подходит для сложных деталей и компонентов в производстве.

Радиочастотная система PECVD Радиочастотное осаждение из паровой фазы с усилением плазмы

Радиочастотная система PECVD Радиочастотное осаждение из паровой фазы с усилением плазмы

RF-PECVD - это аббревиатура от "Radio Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition". С его помощью на германиевые и кремниевые подложки наносится пленка DLC (алмазоподобного углерода). Он используется в инфракрасном диапазоне длин волн 3-12um.

Теплый иостатический пресс для исследования твердотельных аккумуляторов

Теплый иостатический пресс для исследования твердотельных аккумуляторов

Откройте для себя передовой теплый изостатический пресс (WIP) для ламинирования полупроводников. Идеально подходит для MLCC, гибридных чипов и медицинской электроники. Повышение прочности и стабильности с высокой точностью.

Вакуумная индукционная печь горячего прессования 600T

Вакуумная индукционная печь горячего прессования 600T

Откройте для себя вакуумную индукционную печь горячего прессования 600T, предназначенную для экспериментов по высокотемпературному спеканию в вакууме или защищенной атмосфере. Точный контроль температуры и давления, регулируемое рабочее давление и расширенные функции безопасности делают его идеальным для неметаллических материалов, углеродных композитов, керамики и металлических порошков.

Колокольный резонатор MPCVD Машина для лаборатории и выращивания алмазов

Колокольный резонатор MPCVD Машина для лаборатории и выращивания алмазов

Получите высококачественные алмазные пленки с помощью нашей машины MPCVD с резонатором Bell-jar Resonator, предназначенной для лабораторного выращивания и выращивания алмазов. Узнайте, как микроволновое плазменно-химическое осаждение из паровой фазы работает для выращивания алмазов с использованием углекислого газа и плазмы.

Цилиндрический резонатор MPCVD алмазной установки для выращивания алмазов в лаборатории

Цилиндрический резонатор MPCVD алмазной установки для выращивания алмазов в лаборатории

Узнайте о машине MPCVD с цилиндрическим резонатором - методе микроволнового плазмохимического осаждения из паровой фазы, который используется для выращивания алмазных камней и пленок в ювелирной и полупроводниковой промышленности. Узнайте о его экономически эффективных преимуществах по сравнению с традиционными методами HPHT.

Вытяжная матрица с наноалмазным покрытием Оборудование HFCVD

Вытяжная матрица с наноалмазным покрытием Оборудование HFCVD

Фильера для нанесения наноалмазного композитного покрытия использует цементированный карбид (WC-Co) в качестве подложки, а для нанесения обычного алмаза и наноалмазного композитного покрытия на поверхность внутреннего отверстия пресс-формы используется метод химической паровой фазы (сокращенно CVD-метод).


Оставьте ваше сообщение