Принципы радиочастотного напыления предполагают использование радиочастотной энергии (РЧ) для создания плазмы в вакуумной камере, которая затем наносит тонкий слой материала на подложку. Этот метод особенно эффективен для непроводящих материалов.
1. Установка вакуумной камеры:
Процесс начинается с помещения целевого материала (материала, на который необходимо нанести осадок) и подложки (материала, на который будет нанесен целевой материал) в вакуумную камеру. Эта среда необходима для предотвращения загрязнения и контроля условий для оптимального осаждения.2. Введение инертного газа:
В камеру вводятся инертные газы, например аргон. Эти газы выбираются потому, что они не вступают в химическую реакцию с материалами в камере, обеспечивая целостность процесса осаждения.
3. Ионизация атомов газа:
С помощью радиочастотного источника энергии через газ посылаются энергетические волны, которые ионизируют атомы газа. В результате ионизации атомы газа приобретают положительный заряд, образуя плазму. Плазма - важнейший компонент, поскольку она содержит энергичные ионы, необходимые для процесса напыления.4. Радиочастотное магнетронное напыление:
При радиочастотном магнетронном напылении мощные магниты используются для усиления процесса ионизации путем удержания электронов вблизи поверхности мишени, что увеличивает скорость ионизации инертного газа. Такая установка позволяет эффективно распылять непроводящие материалы, контролируя накопление заряда на поверхности мишени.
5. Осаждение тонких пленок:
Атомы ионизированного газа, находящиеся в состоянии плазмы, ускоряются по направлению к материалу мишени под действием электрического поля, создаваемого источником радиочастотной энергии. Когда эти ионы сталкиваются с материалом мишени, они вызывают выброс атомов или молекул (напыление) и осаждение их на подложку.
6. Контроль накопления заряда:
