Продукты Тепловое оборудование Печь CVD и PECVD Наклонная роторная установка для плазменно-усиленного химического осаждения из паровой фазы (PECVD) с трубчатой печью
Категории
Категории
Наклонная роторная установка для плазменно-усиленного химического осаждения из паровой фазы (PECVD) с трубчатой печью

Печь CVD и PECVD

Наклонная роторная установка для плазменно-усиленного химического осаждения из паровой фазы (PECVD) с трубчатой печью

Артикул : KT-PE16

Цена может варьироваться в зависимости от спецификации и настройки


Макс. температура
1600 ℃
Постоянная рабочая температура
1550 ℃
Диаметр трубы печи
60 mm
Длина зоны нагрева
2x300 mm
Скорость нагрева
0-10 ℃/min
ISO & CE icon

Доставка:

Свяжитесь с нами чтобы получить подробности о доставке. Наслаждайтесь Гарантия своевременной отправки.

Цена

Почему выбирают нас

Надежный партнер

Простой процесс заказа, качественные продукты и специализированная поддержка для успеха вашего бизнеса.

Простой процесс Гарантия качества Специализированная поддержка

Введение

Наклонная роторная установка для плазменно-усиленного химического осаждения из паровой фазы (PECVD) с трубчатой печью представляет собой роторную систему химического осаждения из паровой фазы с плазменным усилением, которая использует вращающуюся печную трубу и плазменный генератор для индукции химических реакций в газовом разряде. Этот процесс производит широкий спектр химических видов, которые могут быть использованы для формирования твердых отложений на материалах. Установка оснащена трехходовым расходомером и устройством смешивания газов, что обеспечивает точный контроль используемых в процессе газов. Вращающаяся печная труба обеспечивает равномерный нагрев и перемешивание материалов, а плазменный генератор обеспечивает энергию активации, необходимую для химических реакций. Установка также оснащена высокопроизводительным механическим насосом, который может быстро откачивать печную трубу до вакуума.

Применение

Установки с трубчатыми печами PECVD используются в различных областях, включая:

  • Производство полупроводников:** PECVD используется для осаждения тонких пленок таких материалов, как нитрид кремния, диоксид кремния и поликремний на полупроводниковые пластины.
  • Производство солнечных элементов:** PECVD используется для осаждения тонких пленок таких материалов, как теллурид кадмия и медно-индиево-галлиевый селенид на солнечные элементы.
  • Производство плоскопанельных дисплеев:** PECVD используется для осаждения тонких пленок таких материалов, как оксид индия-олова и оксид цинка на плоскопанельные дисплеи.
  • Оптическое покрытие:** PECVD используется для осаждения тонких пленок таких материалов, как диоксид титана и нитрид кремния на оптические компоненты.
  • Производство медицинских изделий:** PECVD используется для осаждения тонких пленок таких материалов, как гидроксиапатит и нитрид титана на медицинские изделия.

Принцип

Наклонная роторная установка для плазменно-усиленного химического осаждения из паровой фазы (PECVD) с трубчатой печью представляет собой роторную систему химического осаждения из паровой фазы с плазменным усилением. Печная труба имеет конструкцию переменного диаметра со смесительной перегородкой, обеспечивающую равномерный нагрев и эффективное перемешивание материалов. Плазменный генератор, подключенный с помощью индуктивной связи, охватывает печную трубу, обеспечивая повышенную энергию активации, снижая температуру реакции и повышая эффективность. Оборудование использует трехходовой расходомер и устройство смешивания газов для точного контроля газов. Кроме того, высокопроизводительный механический насос обеспечивает быструю откачку печной трубы, создавая вакуумную среду, подходящую для различных процессов CVD.

Особенности

Наклонная роторная установка для плазменно-усиленного химического осаждения из паровой фазы (PECVD) с трубчатой печью обладает множеством передовых функций, которые позволяют исследователям и инженерам добиваться непревзойденных результатов в своих процессах обработки материалов:

  • Точный контроль температуры: Программируемый ПИД-регулятор температуры обеспечивает исключительную точность и стабильность, позволяя выполнять точные циклы нагрева и охлаждения для оптимальных свойств материала.
  • Универсальный плазменный источник: РЧ-плазменный источник с широким диапазоном мощности 5-500 Вт обеспечивает гибкость и контроль над генерацией плазмы, способствуя эффективному и индивидуальному осаждению материалов.
  • Равномерное перемешивание и нагрев: Вращающаяся печная труба с конструкцией переменного диаметра и смесительной перегородкой обеспечивает тщательное перемешивание материалов и равномерный нагрев, что приводит к стабильным и высококачественным результатам осаждения.
  • Автоматическая скользящая система: Скользящая система камеры печи обеспечивает быстрый нагрев и охлаждение, минимизируя время обработки и повышая производительность.
  • Точный контроль газов: Высокоточные массовые расходомеры MFC и устройство смешивания газов обеспечивают точный контроль состава и скорости потока газов, оптимизируя процессы осаждения для конкретных материалов и применений.
  • Прочная конструкция: Вакуумный фланец из нержавеющей стали с адаптивными портами обеспечивает надежное уплотнение и высокий уровень вакуума, поддерживая чистую среду осаждения.
  • Интуитивно понятный интерфейс: Контроллер CTF Pro с 7-дюймовым сенсорным экраном TFT обеспечивает удобную настройку программ, анализ данных и возможности удаленного управления, оптимизируя работу и управление данными.

Преимущества

  • Источник автоматического согласования РЧ-плазмы, широкий диапазон выходной мощности 5-500 Вт, стабильный выход.
  • Система скольжения камеры печи для высокоскоростного нагрева и быстрого охлаждения, доступны вспомогательное быстрое охлаждение и автоматическое скользящее движение.
  • Программируемый ПИД-регулятор температуры, отличная точность управления и поддержка удаленного и централизованного управления.
  • Высокоточный контроль массового расходомера MFC, предварительное смешивание исходных газов и стабильная скорость подачи газа.
  • Вакуумный фланец из нержавеющей стали с различными адаптивными портами для различных конфигураций вакуумных насосных станций, хорошее уплотнение и высокая степень вакуума.
  • CTF Pro использует контроллер с одним 7-дюймовым сенсорным экраном TFT, более удобную настройку программы и анализ исторических данных.
  • Низкие эксплуатационные расходы; Простота установки; Жесткая конструкция; Высочайшая производительность; Длительный срок службы.

Преимущества безопасности

  • Трубчатая печь Kindle Tech имеет защиту от перегрузки по току и функцию сигнализации о перегреве, печь автоматически отключает питание.
  • Печь имеет встроенную функцию обнаружения термопары, печь прекратит нагрев и включится сигнализация при обнаружении обрыва или неисправности.
  • PE Pro поддерживает функцию перезапуска после сбоя питания, печь возобновит программу нагрева печи при подаче питания после сбоя.

Технические характеристики

Модель печи PE-1600-60
Макс. температура 1600℃
Постоянная рабочая температура 1550℃
Материал печной трубы Труба из высокочистого Al2O3
Диаметр печной трубы 60 мм
Длина зоны нагрева 2x300 мм
Материал камеры Японское алюминиевое волокно
Нагревательный элемент Дисилицид молибдена
Скорость нагрева 0-10℃/мин
Термопара Тип B
Контроллер температуры Цифровой ПИД-контроллер/ПИД-контроллер с сенсорным экраном
Точность контроля температуры ±1℃
РЧ-плазменный блок
Выходная мощность  5 -500 Вт регулируемая со стабильностью ± 1%
РЧ-частота 13,56 МГц ±0,005% стабильности
Отраженная мощность Макс. 350 Вт.
Согласование Автоматическое
Шум <50 дБ
Охлаждение Воздушное охлаждение.
Блок точного контроля газов
Расходомер Массовый расходомер MFC
Газовые каналы 4 канала
Скорость потока MFC1: 0-5SCCM O2
MFC2: 0-20SCMCH4
MFC3: 0- 100SCCM H2
MFC4: 0-500 SCCM N2
Линейность ±0,5% от полной шкалы.
Воспроизводимость ±0,2% от полной шкалы.
 Трубопровод и клапан Нержавеющая сталь
Максимальное рабочее давление 0,45 МПа
Контроллер расходомера Контроллер с цифровой ручкой/Контроллер с сенсорным экраном
Стандартный вакуумный блок (опционально)
Вакуумный насос Ротационный пластинчатый вакуумный насос
Производительность насоса 4 л/с
Порт вакуумного всасывания KF25
Вакуумметр Пирани/сопротивляющийся кремниевый вакуумметр
Номинальное вакуумное давление 10 Па
Блок высокого вакуума (опционально)
Вакуумный насос Ротационный пластинчатый насос + молекулярный насос
Производительность насоса 4 л/с + 110 л/с
Порт вакуумного всасывания KF25
Вакуумметр Комбинированный вакуумметр
Номинальное вакуумное давление 6x10-5 Па
Вышеуказанные спецификации и конфигурации могут быть изменены по индивидуальному заказу

Стандартная комплектация

Описание Количество
1 Печь 1
2 Кварцевая трубка 1
3 Вакуумный фланец 2
4 Тепловой блок трубы 2
5 Крючок для теплового блока трубы 1
6 Термостойкая перчатка 1
7 Источник РЧ-плазмы 1
8 Блок точного контроля газов 1
9 Вакуумный блок 1
10 Руководство по эксплуатации 1

Дополнительная комплектация

  • Обнаружение и мониторинг газов в трубе, таких как H2, O2 и т. д.
  • Независимый мониторинг и запись температуры печи
  • Коммуникационный порт RS 485 для удаленного управления ПК и экспорта данных
  • Контроль скорости подачи вводимых газов, например, массовый расходомер и поплавковый расходомер
  • Контроллер температуры с сенсорным экраном и универсальными удобными функциями
  • Конфигурации насосных станций высокого вакуума, такие как пластинчатый вакуумный насос, молекулярный насос, диффузионный насос

Предупреждения

Безопасность оператора – первостепенная задача! Пожалуйста, используйте оборудование с осторожностью. Работа с легковоспламеняющимися, взрывоопасными или токсичными газами очень опасна, операторы должны принять все необходимые меры предосторожности перед запуском оборудования. Работа с избыточным давлением внутри реакторов или камер опасна, оператор должен строго соблюдать технику безопасности. Следует также соблюдать особую осторожность при работе с материалами, реагирующими с воздухом, особенно в условиях вакуума. Утечка может привести к попаданию воздуха в аппарат и вызвать бурную реакцию.

Создан для вас

KinTek предоставляет специализированные услуги и оборудование для клиентов по всему миру, наша специализированная командная работа и богатый опыт инженеров способны выполнить индивидуальные требования к аппаратному и программному оборудованию, а также помочь нашим клиентам создать эксклюзивное и индивидуальное оборудование и решение!

Не могли бы вы поделиться своими идеями с нами, наши инженеры готовы для вас прямо сейчас!

FAQ

Что такое физическое осаждение из паровой фазы (PVD)?

Физическое осаждение из паровой фазы (PVD) — это метод осаждения тонких пленок путем испарения твердого материала в вакууме и последующего осаждения его на подложку. Покрытия PVD отличаются высокой прочностью, устойчивостью к царапинам и коррозии, что делает их идеальными для различных применений, от солнечных элементов до полупроводников. PVD также создает тонкие пленки, способные выдерживать высокие температуры. Однако PVD может быть дорогостоящим, и стоимость варьируется в зависимости от используемого метода. Например, испарение является дешевым методом PVD, а ионно-лучевое распыление довольно дорого. С другой стороны, магнетронное распыление более дорогое, но более масштабируемое.

Что такое метод PECVD?

PECVD (химическое осаждение из паровой фазы с плазменным усилением) — это процесс, используемый в производстве полупроводников для нанесения тонких пленок на микроэлектронные устройства, фотогальванические элементы и панели дисплеев. В PECVD прекурсор вводится в реакционную камеру в газообразном состоянии, и с помощью плазменных реакционноспособных сред прекурсор диссоциирует при гораздо более низких температурах, чем при CVD. Системы PECVD обеспечивают превосходную однородность пленки, низкотемпературную обработку и высокую производительность. Они используются в самых разных областях и будут играть все более важную роль в полупроводниковой промышленности, поскольку спрос на передовые электронные устройства продолжает расти.

Какие методы используются для нанесения тонких пленок?

Двумя основными методами, используемыми для нанесения тонких пленок, являются химическое осаждение из паровой фазы (CVD) и физическое осаждение из паровой фазы (PVD). CVD включает введение газов-реагентов в камеру, где они реагируют на поверхности пластины с образованием твердой пленки. PVD не включает химических реакций; вместо этого внутри камеры создаются пары составляющих материалов, которые затем конденсируются на поверхности пластины, образуя твердую пленку. Общие типы PVD включают осаждение испарением и осаждение распылением. Существует три типа методов напыления: термическое испарение, электронно-лучевое испарение и индуктивный нагрев.

Что такое МпкВД?

MPCVD расшифровывается как Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition и представляет собой процесс осаждения тонких пленок на поверхность. Он использует вакуумную камеру, микроволновый генератор и систему подачи газа для создания плазмы, состоящей из реагирующих химических веществ и необходимых катализаторов. MPCVD широко используется в сети ANFF для осаждения слоев алмаза с использованием метана и водорода для выращивания нового алмаза на подложке с алмазными затравками. Это многообещающая технология производства недорогих высококачественных крупных алмазов, которая широко используется в полупроводниковой и алмазообрабатывающей промышленности.

Что такое магнетронное распыление?

Магнетронное напыление — это метод нанесения покрытия на основе плазмы, используемый для получения очень плотных пленок с превосходной адгезией, что делает его универсальным методом создания покрытий на материалах с высокой температурой плавления, которые не могут испаряться. Этот метод создает магнитно-удерживаемую плазму вблизи поверхности мишени, где положительно заряженные энергичные ионы сталкиваются с отрицательно заряженным материалом мишени, вызывая выброс или «распыление» атомов. Эти выброшенные атомы затем осаждаются на подложку или пластину для создания желаемого покрытия.

Для чего используется PECVD?

PECVD (плазменное химическое осаждение из паровой фазы) широко используется в полупроводниковой промышленности для изготовления интегральных схем, а также в фотоэлектрической, трибологической, оптической и биомедицинской областях. Он используется для осаждения тонких пленок для микроэлектронных устройств, фотогальванических элементов и панелей дисплея. PECVD может производить уникальные соединения и пленки, которые невозможно создать только с помощью обычных методов CVD, а также пленки, демонстрирующие высокую стойкость к растворителям и коррозии, а также химическую и термическую стабильность. Он также используется для производства гомогенных органических и неорганических полимеров на больших поверхностях и алмазоподобного углерода (DLC) для трибологических применений.

Что такое оборудование для нанесения тонких пленок?

Оборудование для нанесения тонких пленок относится к инструментам и методам, используемым для создания и нанесения тонкопленочных покрытий на материал подложки. Эти покрытия могут быть изготовлены из различных материалов и иметь различные характеристики, которые могут улучшить или изменить характеристики подложки. Физическое осаждение из паровой фазы (PVD) — популярный метод, при котором твердый материал испаряется в вакууме, а затем наносится на подложку. Другие методы включают испарение и распыление. Оборудование для нанесения тонких пленок используется, в частности, в производстве оптоэлектронных устройств, медицинских имплантатов и прецизионной оптики.

Что такое машина Mpcvd?

Установка MPCVD (микроволновое плазменно-химическое осаждение из паровой фазы) представляет собой лабораторное оборудование, используемое для выращивания высококачественных алмазных пленок. Он использует углеродсодержащий газ и микроволновую плазму для создания плазменного шара над алмазной подложкой, который нагревает ее до определенной температуры. Плазменный шар не соприкасается со стенкой полости, что делает процесс роста алмаза свободным от примесей и повышает качество алмаза. Система MPVD состоит из вакуумной камеры, микроволнового генератора и системы подачи газа, которая регулирует подачу газа в камеру.

Почему магнетронное распыление?

Магнетронное напыление предпочтительнее из-за его способности достигать высокой точности толщины пленки и плотности покрытий, превосходя методы испарения. Этот метод особенно подходит для создания металлических или изоляционных покрытий с особыми оптическими или электрическими свойствами. Кроме того, системы магнетронного распыления могут быть оснащены несколькими источниками магнетронов.

Каков основной принцип ССЗ?

Основной принцип химического осаждения из паровой фазы (CVD) заключается в воздействии на подложку одного или нескольких летучих прекурсоров, которые вступают в реакцию или разлагаются на ее поверхности, образуя тонкопленочный осадок. Этот процесс можно использовать для различных применений, таких как создание рисунка на пленках, изоляционных материалах и проводящих металлических слоях. CVD — универсальный процесс, с помощью которого можно синтезировать покрытия, порошки, волокна, нанотрубки и монолитные компоненты. Он также способен производить большинство металлов и металлических сплавов и их соединений, полупроводников и неметаллических систем. Осаждение твердого вещества на нагретой поверхности в результате химической реакции в паровой фазе характеризует процесс CVD.

Каковы преимущества PECVD?

Основными преимуществами PECVD являются его способность работать при более низких температурах осаждения, обеспечивая лучшее соответствие и ступенчатое покрытие на неровных поверхностях, более жесткий контроль процесса тонкопленочного осаждения и высокие скорости осаждения. PECVD позволяет успешно применять его в ситуациях, когда обычные температуры CVD могут потенциально повредить устройство или подложку, на которую наносится покрытие. Работая при более низкой температуре, PECVD создает меньшее напряжение между слоями тонкой пленки, обеспечивая высокоэффективные электрические характеристики и соединение в соответствии с очень высокими стандартами.

Что такое технология тонкопленочного осаждения?

Технология нанесения тонких пленок представляет собой процесс нанесения очень тонкой пленки материала толщиной от нескольких нанометров до 100 микрометров на поверхность подложки или на ранее нанесенные покрытия. Эта технология используется в производстве современной электроники, в том числе полупроводников, оптических устройств, солнечных батарей, компакт-дисков и дисководов. Двумя широкими категориями тонкопленочного осаждения являются химическое осаждение, когда химическое изменение приводит к химическому осаждению покрытия, и физическое осаждение из паровой фазы, когда материал высвобождается из источника и осаждается на подложку с использованием механических, электромеханических или термодинамических процессов.

Каковы преимущества Mpcvd?

MPCVD имеет несколько преимуществ по сравнению с другими методами производства алмазов, таких как более высокая чистота, меньшее потребление энергии и возможность производить более крупные алмазы.

Какие материалы используются для нанесения тонких пленок?

Для осаждения тонких пленок в качестве материалов обычно используются металлы, оксиды и соединения, каждый из которых имеет свои уникальные преимущества и недостатки. Металлы предпочтительнее из-за их долговечности и простоты нанесения, но они относительно дороги. Оксиды очень прочны, могут выдерживать высокие температуры и могут осаждаться при низких температурах, но могут быть хрупкими и сложными в работе. Соединения обладают прочностью и долговечностью, их можно наносить при низких температурах и придавать им особые свойства.

Выбор материала для тонкопленочного покрытия зависит от требований применения. Металлы идеально подходят для тепло- и электропроводности, а оксиды эффективны для защиты. Соединения могут быть адаптированы для удовлетворения конкретных потребностей. В конечном счете, лучший материал для конкретного проекта будет зависеть от конкретных потребностей приложения.

Какие существуют типы метода CVD?

Различные типы методов CVD включают CVD при атмосферном давлении (APCVD), CVD при низком давлении (LPCVD), CVD в сверхвысоком вакууме, CVD с использованием аэрозолей, CVD с прямым впрыском жидкости, CVD с горячей стенкой, CVD с холодной стенкой, CVD с микроволновой плазмой, плазмо- улучшенное CVD (PECVD), удаленное CVD с усилением плазмы, низкоэнергетическое CVD с усилением плазмы, CVD атомного слоя, CVD горения и CVD горячей нити. Эти методы различаются механизмом запуска химических реакций и условиями проведения.

В чем разница между ALD и PECVD?

ALD — это процесс осаждения тонких пленок, который обеспечивает атомарное разрешение по толщине слоя, превосходную однородность поверхностей с высоким соотношением сторон и слоев без точечных отверстий. Это достигается непрерывным образованием атомарных слоев в самоограничивающейся реакции. PECVD, с другой стороны, включает смешивание исходного материала с одним или несколькими летучими прекурсорами с использованием плазмы для химического взаимодействия и разрушения исходного материала. В процессах используется тепло с более высоким давлением, что приводит к более воспроизводимой пленке, где толщина пленки может регулироваться по времени/мощности. Эти пленки более стехиометричны, плотнее и позволяют выращивать изоляционные пленки более высокого качества.

Алмазы CVD настоящие или поддельные?

Алмазы CVD — это настоящие бриллианты, а не подделка. Их выращивают в лаборатории с помощью процесса, называемого химическим осаждением из паровой фазы (CVD). В отличие от природных алмазов, которые добывают из-под земли, алмазы CVD создаются с использованием передовых технологий в лабораториях. Эти алмазы на 100% состоят из углерода и представляют собой чистейшую форму алмазов, известную как алмазы типа IIa. Они обладают теми же оптическими, тепловыми, физическими и химическими свойствами, что и природные алмазы. Единственное отличие состоит в том, что алмазы CVD создаются в лаборатории, а не добываются из земли.

Каковы методы достижения оптимального осаждения тонкой пленки?

Для получения тонких пленок с желаемыми свойствами необходимы высококачественные мишени для распыления и материалы для испарения. На качество этих материалов могут влиять различные факторы, такие как чистота, размер зерна и состояние поверхности.

Чистота мишеней для распыления или материалов для испарения играет решающую роль, поскольку примеси могут вызывать дефекты в полученной тонкой пленке. Размер зерна также влияет на качество тонкой пленки, при этом более крупные зерна приводят к ухудшению свойств пленки. Кроме того, состояние поверхности имеет решающее значение, так как шероховатая поверхность может привести к дефектам пленки.

Для достижения высочайшего качества мишеней для распыления и материалов для испарения крайне важно выбирать материалы, которые обладают высокой чистотой, малым размером зерна и гладкой поверхностью.

Использование тонкопленочного осаждения

Тонкие пленки на основе оксида цинка

Тонкие пленки ZnO находят применение в нескольких отраслях, таких как термическая, оптическая, магнитная и электрическая, но в основном они используются в покрытиях и полупроводниковых устройствах.

Тонкопленочные резисторы

Тонкопленочные резисторы имеют решающее значение для современных технологий и используются в радиоприемниках, печатных платах, компьютерах, радиочастотных устройствах, мониторах, беспроводных маршрутизаторах, модулях Bluetooth и приемниках сотовых телефонов.

Магнитные тонкие пленки

Тонкие магнитные пленки используются в электронике, хранении данных, радиочастотной идентификации, микроволновых устройствах, дисплеях, печатных платах и оптоэлектронике в качестве ключевых компонентов.

Оптические тонкие пленки

Оптические покрытия и оптоэлектроника являются стандартными областями применения тонких оптических пленок. Молекулярно-лучевая эпитаксия может производить оптоэлектронные тонкопленочные устройства (полупроводники), в которых эпитаксиальные пленки наносятся на подложку по одному атому за раз.

Полимерные тонкие пленки

Тонкие полимерные пленки используются в микросхемах памяти, солнечных элементах и электронных устройствах. Методы химического осаждения (CVD) обеспечивают точный контроль полимерных пленочных покрытий, включая соответствие и толщину покрытия.

Тонкопленочные батареи

Тонкопленочные батареи питают электронные устройства, такие как имплантируемые медицинские устройства, а литий-ионные батареи значительно продвинулись вперед благодаря использованию тонких пленок.

Тонкопленочные покрытия

Тонкопленочные покрытия улучшают химические и механические характеристики целевых материалов в различных отраслях промышленности и технологических областях. Некоторыми распространенными примерами являются антибликовые покрытия, анти-ультрафиолетовое или анти-инфракрасное покрытие, покрытие против царапин и поляризация линзы.

Тонкопленочные солнечные элементы

Тонкопленочные солнечные элементы необходимы для солнечной энергетики, позволяя производить относительно дешевую и чистую электроэнергию. Фотоэлектрические системы и тепловая энергия являются двумя основными применимыми технологиями.

В чем разница между PECVD и напылением?

PECVD и напыление являются методами физического осаждения из паровой фазы, используемыми для осаждения тонких пленок. PECVD — это диффузионный газовый процесс, который позволяет получать тонкие пленки очень высокого качества, а напыление — это осаждение в пределах прямой видимости. PECVD обеспечивает лучшее покрытие на неровных поверхностях, таких как траншеи, стены, и обеспечивает высокое соответствие, а также позволяет создавать уникальные составы и пленки. С другой стороны, напыление подходит для нанесения тонких слоев из нескольких материалов и идеально подходит для создания многослойных и многоступенчатых систем покрытий. PECVD в основном используется в полупроводниковой промышленности, трибологии, оптике и биомедицине, в то время как напыление в основном используется для диэлектрических материалов и трибологических приложений.

Факторы и параметры, влияющие на осаждение тонких пленок

Скорость осаждения:

Скорость производства пленки, обычно измеряемая по толщине, деленной на время, имеет решающее значение для выбора технологии, подходящей для конкретного применения. Умеренные скорости осаждения достаточны для тонких пленок, в то время как для толстых необходимы высокие скорости осаждения. Важно найти баланс между скоростью и точным контролем толщины пленки.

Единообразие:

Однородность пленки по подложке известна как однородность, которая обычно относится к толщине пленки, но также может относиться к другим свойствам, таким как показатель преломления. Важно иметь хорошее представление о приложении, чтобы избежать недостаточного или чрезмерного определения единообразия.

Возможность заполнения:

Способность заполнения или ступенчатое покрытие относится к тому, насколько хорошо процесс осаждения охватывает топографию подложки. Используемый метод осаждения (например, CVD, PVD, IBD или ALD) оказывает значительное влияние на покрытие и заполнение ступеней.

Характеристики фильма:

Характеристики пленки зависят от требований приложения, которые можно разделить на фотонные, оптические, электронные, механические или химические. Большинство фильмов должны соответствовать требованиям более чем в одной категории.

Температура процесса:

На характеристики пленки существенно влияет температура процесса, которая может быть ограничена областью применения.

Повреждать:

Каждая технология осаждения может повредить материал, на который наносится осаждение, при этом более мелкие элементы более подвержены повреждению процесса. Загрязнение, УФ-излучение и ионная бомбардировка входят в число потенциальных источников повреждений. Крайне важно понимать ограничения материалов и инструментов.

Посмотреть больше часто задаваемых вопросов по этому продукту

4.8

out of

5

I'm amazed by how well this PECVD machine works. It truly lives up to its promises.

Arnie Halvorsen

4.7

out of

5

The rotary design allows for uniform heating and mixing of materials, leading to consistent results.

Olav Rønning

4.9

out of

5

The plasma generator boosts reaction efficiency and reduces processing temperatures, making it an efficient choice.

Ramiro Amezcua

4.6

out of

5

The variable-diameter furnace tube design ensures proper mixing and optimal heating effects.

Søren Nystrøm

4.8

out of

5

The three-way mass flow meter and gas mixing device offer precise control over the process atmosphere.

Jón Halldórsson

4.7

out of

5

The high-performance mechanical pump facilitates rapid evacuation of the furnace tube, speeding up the process.

Atli Valdimarsson

4.9

out of

5

The continuous coating and modification of powder materials using the CVD method is a game-changer.

Stefan Erfurth

4.6

out of

5

The user-friendly interface and remote control capabilities make operation a breeze.

Helga Rönningsdóttir

4.8

out of

5

The safety features, like over current protection and temperature alarming, ensure peace of mind during operation.

Hermann Lindström

4.7

out of

5

The automatic matching RF plasma source simplifies setup and ensures stable output power.

Jósef Ðurčík

4.9

out of

5

The furnace chamber's sliding system enables fast heating and cooling, enhancing productivity.

Jón Þorleifsson

4.6

out of

5

The high-accuracy MFC mass flowmeter ensures precise control of source gases, leading to consistent results.

Milena Schäfer

4.8

out of

5

The stainless steel vacuum flange with adaptable ports allows for easy integration with different vacuum pump stations.

Hrafnhildur Björnsdóttir

Продукты

Наклонная роторная установка для плазменно-усиленного химического осаждения из паровой фазы (PECVD) с трубчатой печью

PDF Формат Каталог
Скачать

Категория

Печь Cvd И Pecvd

PDF Формат Каталог
Скачать

ЗАПРОС ЦИТАТЫ

Наша профессиональная команда ответит вам в течение одного рабочего дня. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам!

Связанные товары

Печь для трубчатого химического осаждения из паровой фазы, изготовленная на заказ, универсальная система оборудования для химического осаждения из паровой фазы

Печь для трубчатого химического осаждения из паровой фазы, изготовленная на заказ, универсальная система оборудования для химического осаждения из паровой фазы

Получите эксклюзивную печь для химического осаждения из паровой фазы KT-CTF16, изготовленную на заказ. Настраиваемые функции скольжения, вращения и наклона для точных реакций. Закажите сейчас!

Раздельная трубчатая печь 1200℃ с кварцевой трубой лабораторная трубчатая печь

Раздельная трубчатая печь 1200℃ с кварцевой трубой лабораторная трубчатая печь

Раздельная трубчатая печь KT-TF12: высокочистая изоляция, встроенные спирали нагревательного провода и макс. 1200°C. Широко используется для новых материалов и осаждения из паровой фазы.

Реактор установки для цилиндрического резонатора МПХВД для химического осаждения из паровой фазы в микроволновой плазме и выращивания лабораторных алмазов

Реактор установки для цилиндрического резонатора МПХВД для химического осаждения из паровой фазы в микроволновой плазме и выращивания лабораторных алмазов

Узнайте о машине МПХВД с цилиндрическим резонатором, методе химического осаждения из паровой фазы в микроволновой плазме, используемом для выращивания алмазных драгоценных камней и пленок в ювелирной и полупроводниковой промышленности. Откройте для себя ее экономически выгодные преимущества по сравнению с традиционными методами HPHT.

Вакуумная печь горячего прессования Нагретая вакуумная прессовальная машина

Вакуумная печь горячего прессования Нагретая вакуумная прессовальная машина

Откройте для себя преимущества вакуумной печи горячего прессования! Производите плотные тугоплавкие металлы и сплавы, керамику и композиты при высокой температуре и давлении.

Печь для вакуумной термообработки молибдена

Печь для вакуумной термообработки молибдена

Откройте для себя преимущества молибденовой вакуумной печи с высокой конфигурацией и теплоизоляцией. Идеально подходит для сред высокой чистоты и вакуума, таких как рост сапфировых кристаллов и термообработка.

Печь для индукционной плавки в вакууме с нерасходуемым электродом

Печь для индукционной плавки в вакууме с нерасходуемым электродом

Изучите преимущества вакуумной дуговой печи с нерасходуемым электродом и высокотемпературными электродами. Компактная, простая в эксплуатации и экологичная. Идеально подходит для лабораторных исследований тугоплавких металлов и карбидов.

Печь с контролируемой атмосферой 1200℃, печь с азотной инертной атмосферой

Печь с контролируемой атмосферой 1200℃, печь с азотной инертной атмосферой

Откройте для себя нашу печь с контролируемой атмосферой KT-12A Pro — высокоточная, сверхпрочная вакуумная камера, универсальный контроллер с сенсорным экраном и превосходная равномерность температуры до 1200°C. Идеально подходит как для лабораторных, так и для промышленных применений.

Лист стеклоуглерода RVC для электрохимических экспериментов

Лист стеклоуглерода RVC для электрохимических экспериментов

Откройте для себя наш лист стеклоуглерода - RVC. Этот высококачественный материал идеально подходит для ваших экспериментов и выведет ваши исследования на новый уровень.

Алюминированная керамическая испарительная лодочка для нанесения тонких пленок

Алюминированная керамическая испарительная лодочка для нанесения тонких пленок

Емкость для нанесения тонких пленок; имеет керамический корпус с алюминиевым покрытием для повышения тепловой эффективности и химической стойкости, что делает ее подходящей для различных применений.

Оборудование для стерилизации VHP Пероксид водорода H2O2 Стерилизатор пространства

Оборудование для стерилизации VHP Пероксид водорода H2O2 Стерилизатор пространства

Стерилизатор пространства пероксидом водорода — это устройство, которое использует испаренный пероксид водорода для обеззараживания замкнутых пространств. Он убивает микроорганизмы, повреждая их клеточные компоненты и генетический материал.

Связанные статьи

Химическое осаждение из паровой фазы с расширенной плазмой (PECVD): Исчерпывающее руководство

Химическое осаждение из паровой фазы с расширенной плазмой (PECVD): Исчерпывающее руководство

Узнайте все, что вам нужно знать о плазменном химическом осаждении из паровой фазы (PECVD) - технологии осаждения тонких пленок, используемой в полупроводниковой промышленности. Изучите ее принципы, области применения и преимущества.

Узнать больше
Понимание PECVD: руководство по химическому осаждению из паровой фазы с плазменным усилением

Понимание PECVD: руководство по химическому осаждению из паровой фазы с плазменным усилением

PECVD — полезный метод для создания тонкопленочных покрытий, поскольку он позволяет наносить самые разные материалы, включая оксиды, нитриды и карбиды.

Узнать больше
Преимущества использования трубчатой печи CVD для нанесения покрытия

Преимущества использования трубчатой печи CVD для нанесения покрытия

Покрытия CVD имеют ряд преимуществ по сравнению с другими методами нанесения покрытий, таких как высокая чистота, плотность и однородность, что делает их идеальными для многих применений в различных отраслях промышленности.

Узнать больше
CVD-машины для нанесения тонких пленок

CVD-машины для нанесения тонких пленок

Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) — широко используемый метод осаждения тонких пленок на различные подложки.

Узнать больше
Введение в химическое осаждение из паровой фазы (CVD)

Введение в химическое осаждение из паровой фазы (CVD)

Химическое осаждение из паровой фазы, или CVD, представляет собой процесс нанесения покрытия, который включает использование газообразных реагентов для получения тонких пленок и покрытий высокого качества.

Узнать больше
Печь CVD для выращивания углеродных нанотрубок

Печь CVD для выращивания углеродных нанотрубок

Технология печи химического осаждения из паровой фазы (CVD) является широко используемым методом выращивания углеродных нанотрубок.

Узнать больше
Преимущества и недостатки химического осаждения из паровой фазы (CVD)

Преимущества и недостатки химического осаждения из паровой фазы (CVD)

Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - это универсальный метод осаждения тонких пленок, широко используемый в различных отраслях промышленности. Изучите ее преимущества, недостатки и потенциальные новые применения.

Узнать больше
Процесс изготовления CVD-алмаза на машине MPCVD

Процесс изготовления CVD-алмаза на машине MPCVD

Алмазные станки CVD приобрели большое значение в различных отраслях промышленности и научных исследованиях.

Узнать больше
Исследование вращающихся трубчатых печей: Исчерпывающее руководство

Исследование вращающихся трубчатых печей: Исчерпывающее руководство

Узнайте об устройстве ротационных трубчатых печей, их различных областях применения и ключевых преимуществах. Изучите принцип работы этих печей, их пригодность для различных процессов и факторы, которые следует учитывать при выборе. Узнайте, почему ротационные трубчатые печи предпочитают использовать в передовых технологиях обработки материалов.

Узнать больше
Роль плазмы в покрытиях PECVD

Роль плазмы в покрытиях PECVD

PECVD (химическое осаждение из газовой фазы с плазменным усилением) представляет собой тип процесса осаждения тонких пленок, который широко используется для создания покрытий на различных подложках. В этом процессе плазма используется для осаждения тонких пленок из различных материалов на подложку.

Узнать больше
Печь PECVD Маломощное и низкотемпературное решение для мягких материалов

Печь PECVD Маломощное и низкотемпературное решение для мягких материалов

Печи PECVD (химическое осаждение из паровой фазы с плазменным усилением) стали популярным решением для осаждения тонких пленок на поверхности мягких материалов.

Узнать больше
Полное руководство по обслуживанию оборудования PECVD

Полное руководство по обслуживанию оборудования PECVD

Надлежащее техническое обслуживание оборудования PECVD имеет решающее значение для обеспечения его оптимальной производительности, долговечности и безопасности.

Узнать больше