Процесс получения карбида кремния (SiC) включает в себя несколько промышленных методов, в том числе спекание, реакционное соединение, выращивание кристаллов и химическое осаждение из паровой фазы (CVD). Карбид кремния - это синтетически полученное соединение, известное своей твердостью, износостойкостью и термическими свойствами, что делает его ценным в различных отраслях промышленности.
Спекание:
Спеченный SiC производится из чистого порошка SiC с использованием неоксидных агентов для спекания. Процесс включает в себя использование традиционных технологий формования керамики и спекание материала в инертной атмосфере при температуре до 2000°C и выше. Этот метод позволяет получить плотный и прочный материал, подходящий для высокотемпературных применений.Реакционное склеивание:
Реакционно связанный SiC изготавливается путем инфильтрации компактов из смесей SiC и углерода жидким кремнием. Кремний вступает в реакцию с углеродом, образуя дополнительный карбид кремния, который скрепляет частицы SiC вместе. Этот метод особенно полезен для создания сложных форм и структур.
Выращивание кристаллов:
Производители используют химическое осаждение из паровой фазы для выращивания монокристаллических пленок SiC на подложках из кремниевых пластин. Этот процесс включает в себя различные методы, которые позволяют вводить легирующие элементы n- и p-типа в пленки SiC, улучшая их электрические свойства. Этот метод очень важен для получения высококачественных кристаллов SiC, используемых в производстве электроники.Химическое осаждение из паровой фазы (CVD):
CVD используется для получения SiC с очень низким электрическим сопротивлением, что делает его отличным проводником электричества. Это свойство позволяет изготавливать тонкие элементы с помощью методов EDM (электроэрозионной обработки), которые полезны для создания крошечных отверстий с высоким аспектным отношением. Материал CVD также известен своей низкой плотностью, высокой жесткостью, чрезвычайной твердостью и износостойкостью.
Методы подготовки:
