Алмазы, полученные методом химического осаждения из паровой фазы (CVD), изготавливаются путем помещения тонкого среза алмазной затравки в герметичную камеру, нагревания ее примерно до 800 градусов Цельсия, а затем введения газовой смеси, богатой углеродом, обычно метана и водорода. Газы ионизируются в плазму с помощью таких технологий, как микроволны или лазеры, которые разрушают молекулярные связи в газах. Это позволяет чистому углероду прилипать к алмазной затравке, постепенно наращивая алмаз слой за слоем.
Подробное объяснение:
-
Подготовка алмазной затравки:
-
Процесс начинается с тонкого ломтика алмазной затравки, часто полученного из алмаза, полученного методом HPHT (High Pressure High Temperature). Эта затравка служит основой для роста нового алмаза.Герметизация и нагрев камеры:
-
Алмазная затравка помещается в герметичную камеру, которая затем нагревается до температуры около 800 градусов Цельсия. Такая высокая температура необходима для начала химических реакций, необходимых для роста алмаза.
-
Введение богатых углеродом газов:
-
После нагрева камера заполняется смесью газов, богатых углеродом, в первую очередь метаном, а также водородом. Эти газы обеспечивают источник углерода, необходимый для роста алмаза.Ионизация газов:
-
Затем газы ионизируются с помощью таких методов, как микроволны или лазеры. Ионизация предполагает приведение газов в состояние плазмы, что разрушает их молекулярные связи. Этот процесс очень важен, поскольку он отделяет атомы углерода от молекул газа, делая их доступными для роста алмаза.
Осаждение и рост алмаза:
