Знание Что такое тонкопленочная технология в полупроводниках?
Аватар автора

Техническая команда · Kintek Solution

Обновлено 2 недели назад

Что такое тонкопленочная технология в полупроводниках?

Технология тонких пленок в полупроводниках подразумевает нанесение на подложку очень тонких слоев материалов, обычно от нескольких нанометров до 100 микрометров, для создания интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Эта технология имеет решающее значение для производства современной электроники, включая телекоммуникационные устройства, транзисторы, солнечные батареи, светодиоды, компьютерные чипы и т. д.

Краткое содержание книги "Тонкопленочные технологии в полупроводниках:

Технология тонких пленок - важнейший аспект производства полупроводников, при котором тонкие слои проводящих, полупроводниковых и изолирующих материалов наносятся на плоскую подложку, часто изготовленную из кремния или карбида кремния. Затем эти слои наносятся с помощью литографических технологий для одновременного создания множества активных и пассивных устройств.

  1. Подробное объяснение:

    • Осаждение тонких пленок:
  2. Процесс начинается с очень плоской подложки, известной как пластина, на которую наносятся тонкие пленки материалов. Толщина этих пленок может достигать нескольких атомов, и их нанесение - это тщательный процесс, требующий точности и контроля. В качестве материалов используются проводящие металлы, полупроводники, такие как кремний, и изоляторы.

    • Паттернинг и литография:
  3. После осаждения тонких пленок на каждый слой наносится рисунок с помощью литографических технологий. Это включает в себя создание точных рисунков на слоях, которые определяют электронные компоненты и их взаимосвязи. Этот шаг имеет решающее значение для функциональности и производительности интегральных схем.

    • Применение в полупроводниковой промышленности:
  4. Технология тонких пленок не просто полезна, она необходима в полупроводниковой промышленности. Она используется в производстве широкого спектра устройств, включая интегральные схемы, транзисторы, солнечные батареи, светодиоды, ЖК-дисплеи и компьютерные чипы. Технология позволяет миниатюризировать компоненты и интегрировать сложные функциональные возможности на одном чипе.

    • Эволюция и современное использование:
  5. Технология тонких пленок прошла путь от раннего использования в простых электронных компонентах до нынешней роли в сложных устройствах, таких как МЭМС и фотоника. Технология продолжает развиваться, позволяя создавать более эффективные и компактные электронные устройства.

    • Используемые материалы:

Распространенные материалы, используемые в тонкопленочной технологии, включают оксид меди (CuO), диселенид индия-галлия меди (CIGS) и оксид индия-олова (ITO). Эти материалы выбираются за их особые электрические свойства и способность образовывать стабильные тонкие слои.

В заключение следует отметить, что технология тонких пленок является основополагающим аспектом производства полупроводников, позволяющим создавать сложные и высокопроизводительные электронные устройства. Точность и контроль, необходимые для осаждения и формирования рисунка этих тонких пленок, имеют решающее значение для функциональности и эффективности современной электроники.

Связанные товары

Плазменное осаждение с расширенным испарением PECVD машина покрытия

Плазменное осаждение с расширенным испарением PECVD машина покрытия

Усовершенствуйте свой процесс нанесения покрытий с помощью оборудования для нанесения покрытий методом PECVD. Идеально подходит для производства светодиодов, силовых полупроводников, МЭМС и многого другого. Осаждает высококачественные твердые пленки при низких температурах.

Мишень для распыления оксида индия-олова (ITO) высокой чистоты / порошок / проволока / блок / гранула

Мишень для распыления оксида индия-олова (ITO) высокой чистоты / порошок / проволока / блок / гранула

Получите высококачественные мишени для распыления из оксида индия-олова (ITO) для нужд вашей лаборатории по разумной цене. Наши индивидуальные варианты различных форм и размеров удовлетворят ваши уникальные требования. Просмотрите наш ассортимент сегодня.

Инфракрасный кремний/высокопрочный кремний/монокристаллический кремниевый объектив

Инфракрасный кремний/высокопрочный кремний/монокристаллический кремниевый объектив

Кремний (Si) широко известен как один из самых прочных минеральных и оптических материалов для применения в ближнем инфракрасном (БИК) диапазоне, примерно от 1 мкм до 6 мкм.

Радиочастотная система PECVD Радиочастотное осаждение из паровой фазы с усилением плазмы

Радиочастотная система PECVD Радиочастотное осаждение из паровой фазы с усилением плазмы

RF-PECVD - это аббревиатура от "Radio Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition". С его помощью на германиевые и кремниевые подложки наносится пленка DLC (алмазоподобного углерода). Он используется в инфракрасном диапазоне длин волн 3-12um.

Керамический лист из нитрида кремния (SiC) Прецизионная обработка керамики

Керамический лист из нитрида кремния (SiC) Прецизионная обработка керамики

Пластина из нитрида кремния является широко используемым керамическим материалом в металлургической промышленности из-за его однородных характеристик при высоких температурах.

CVD-алмазное покрытие

CVD-алмазное покрытие

Алмазное покрытие CVD: превосходная теплопроводность, качество кристаллов и адгезия для режущих инструментов, трения и акустических применений.

Графитовый тигель для электронно-лучевого испарения

Графитовый тигель для электронно-лучевого испарения

Технология, в основном используемая в области силовой электроники. Это графитовая пленка, изготовленная из исходного углеродного материала путем осаждения материала с использованием электронно-лучевой технологии.

Керамический лист из карбида кремния (SIC) Плоский / гофрированный радиатор

Керамический лист из карбида кремния (SIC) Плоский / гофрированный радиатор

Керамический радиатор из карбида кремния (sic) не только не генерирует электромагнитные волны, но также может изолировать электромагнитные волны и поглощать часть электромагнитных волн.

Вытяжная матрица с наноалмазным покрытием Оборудование HFCVD

Вытяжная матрица с наноалмазным покрытием Оборудование HFCVD

Фильера для нанесения наноалмазного композитного покрытия использует цементированный карбид (WC-Co) в качестве подложки, а для нанесения обычного алмаза и наноалмазного композитного покрытия на поверхность внутреннего отверстия пресс-формы используется метод химической паровой фазы (сокращенно CVD-метод).

Окно / подложка / оптическая линза из селенида цинка (ZnSe)

Окно / подложка / оптическая линза из селенида цинка (ZnSe)

Селенид цинка образуется путем синтеза паров цинка с газообразным H2Se, в результате чего на графитовых чувствительных элементах образуются пластинчатые отложения.

Окно из сульфида цинка (ZnS) / соляной лист

Окно из сульфида цинка (ZnS) / соляной лист

Оптика Окна из сульфида цинка (ZnS) имеют превосходный диапазон пропускания ИК-излучения от 8 до 14 микрон. Отличная механическая прочность и химическая инертность для суровых условий (жестче, чем окна из ZnSe).

Керамический лист из нитрида алюминия (AlN)

Керамический лист из нитрида алюминия (AlN)

Нитрид алюминия (AlN) обладает хорошей совместимостью с кремнием. Он не только используется в качестве добавки для спекания или армирующей фазы для конструкционной керамики, но и по своим характеристикам намного превосходит оксид алюминия.

CVD-алмаз для терморегулирования

CVD-алмаз для терморегулирования

CVD-алмаз для управления температурным режимом: высококачественный алмаз с теплопроводностью до 2000 Вт/мК, идеально подходящий для теплоотводов, лазерных диодов и приложений GaN на алмазе (GOD).

Сапфировый лист с инфракрасным пропусканием / сапфировая подложка / сапфировое окно

Сапфировый лист с инфракрасным пропусканием / сапфировая подложка / сапфировое окно

Изготовленная из сапфира подложка обладает беспрецедентными химическими, оптическими и физическими свойствами. Его замечательная устойчивость к тепловым ударам, высоким температурам, эрозии песка и воде отличает его.


Оставьте ваше сообщение

Ярлык

Общайтесь с нами для быстрого и прямого общения.

Немедленный ответ в рабочие дни (в течение 8 часов в праздничные дни)