Чтобы измерить толщину тонкой пленки с помощью сканирующей электронной микроскопии (СЭМ), обычно анализируют поперечные сечения тонкой пленки. Этот метод особенно эффективен для полупроводниковых тонких пленок толщиной от 100 нм до 100 мкм. СЭМ не только измеряет толщину, но и позволяет получить представление о морфологии поверхности и элементном составе пленки, особенно в сочетании с детектором энергодисперсионной спектроскопии (EDS).
Анализ поперечного сечения с помощью РЭМ:
Первым шагом в измерении толщины тонкой пленки с помощью РЭМ является подготовка образца в поперечном сечении. Для этого необходимо разрезать образец таким образом, чтобы получить чистое и четкое поперечное сечение тонкой пленки. Затем образец устанавливается на штырь и покрывается тонким слоем проводящего материала, обычно золотом или платиной, чтобы предотвратить зарядку во время процесса визуализации РЭМ.Визуализация и измерение:
После подготовки образца его изображение получают с помощью РЭМ. Электронный луч сканирует по поверхности образца, а взаимодействие между электронами и образцом генерирует сигналы, которые дают информацию о топографии поверхности образца, его составе и других характеристиках. При измерении толщины поперечное сечение имеет решающее значение, поскольку оно позволяет непосредственно визуализировать толщину пленки. Толщина может быть измерена непосредственно по изображениям РЭМ путем анализа расстояния между верхней поверхностью пленки и подложкой.
Точность и соображения:
Точность измерения толщины зависит от разрешения РЭМ и качества подготовки образца. РЭМ с высоким разрешением может обеспечить измерения с нанометровой точностью. Однако важно отметить, что для обеспечения точности анализа необходимо знать состав и структуру образца. Если состав неизвестен, это может привести к ошибкам в измерении толщины.
Преимущества и ограничения:
