Карбид кремния (SiC) может выдерживать температуры до 1 400˚C, сохраняя при этом свою механическую прочность. Он также способен работать при еще более высоких температурах, значительно превышающих 2 400°F (1 316°C), особенно в приложениях, связанных с лучистыми трубами.
Устойчивость к высоким температурам:
Карбид кремния славится своей способностью сохранять высокую механическую прочность при температурах до 1 400˚C. Это свойство делает его идеальным материалом для применений, где преобладают высокие температуры. Кроме того, SiC может эффективно использоваться в средах, где температура превышает 2 000°F (1 093°C), например, в лучистых трубах. В таких высокотемпературных областях применения элементы SiC должны быть надлежащим образом закреплены, чтобы минимизировать деформацию, и должны быть отцентрированы в радиантной трубе с помощью подходящей огнеупорной прокладки.Использование в радиантных трубах:
В сценариях, где металлические элементы, такие как хром и никель, не подходят из-за их ограниченной температурной устойчивости, SiC становится жизнеспособной альтернативой. В частности, при использовании в качестве байонетного элемента внутри излучающей трубы SiC может работать при температурах, значительно превышающих 2 000°F (1 093°C). Это очень важно для промышленных процессов, требующих экстремального нагрева, где SiC не только отвечает тепловым требованиям, но и обеспечивает лучшую устойчивость к химической коррозии по сравнению с другими керамиками.
Теплопроводность и окисление:
SiC также может похвастаться высокой теплопроводностью, в диапазоне 120-270 Вт/мК, что выше, чем у обычных сталей и чугуна. Такая высокая теплопроводность способствует эффективному распределению тепла, что полезно в высокотемпературных приложениях. Однако важно отметить, что теплопроводность снижается с ростом температуры, и этот фактор необходимо тщательно учитывать в конкретных областях применения.
Что касается окисления, SiC может быть термически окислен в SiO2, для чего требуется температура от 1 200 до 1 600 °C. Этот процесс окисления имеет решающее значение для определенных применений и демонстрирует еще один аспект высокотемпературных возможностей SiC.
