Знание Что такое метод карбида кремния? 5 ключевых моментов для понимания
Аватар автора

Техническая команда · Kintek Solution

Обновлено 1 месяц назад

Что такое метод карбида кремния? 5 ключевых моментов для понимания

Карбид кремния (SiC) - это синтетически полученное соединение кремния и углерода, известное своей исключительной твердостью и теплопроводностью.

Метод получения карбида кремния включает в себя несколько промышленных процессов, в том числе спекание, реакционное соединение, рост кристаллов и химическое осаждение из паровой фазы (CVD).

Наиболее распространенными промышленными методами получения порошка карбида кремния являются метод Ачесона, низкотемпературное карботермическое восстановление диоксида кремния и прямая реакция кремний-углерод.

Каждый метод предполагает использование различных температур и материалов для синтеза SiC, при этом метод Ачесона - это традиционный метод карботермического восстановления, при котором при высоких температурах кварцевый песок или кварцевая руда реагируют с нефтяным коксом или графитом.

SiC существует в двух основных кристаллических формах, α и β, причем β-SiC представляет собой кубическую кристаллическую систему, а α-SiC имеет несколько политипов, таких как 4H, 15R и 6H.

Превращение между этими формами зависит от температуры: β-SiC стабилен при температуре ниже 1600°C и превращается в α-SiC при более высоких температурах.

Области применения карбида кремния обширны: от традиционного использования в керамике, огнеупорных материалах и шлифовании до более современных применений в полупроводниках и проводящей керамике.

В полупроводниковой промышленности карбид кремния ценится за высокую твердость, низкий износ и совместимость с кремниевыми пластинами, что делает его идеальным для использования в шлифовальных кругах и приспособлениях.

Кроме того, такие свойства SiC, как большой зазор, высокая теплопроводность и высокая подвижность насыщения электронов, делают его превосходным материалом для силовых полупроводников, компенсируя ограничения традиционных полупроводниковых материалов, таких как кремний и арсенид галлия.

Химическое осаждение из паровой фазы имеет особое значение для производства карбида кремния для электроники, поскольку позволяет выращивать относительно толстые кристаллы SiC без примесей на подложках из кремниевых пластин.

Этот процесс имеет решающее значение для создания высококачественных кристаллов SiC, используемых в различных электронных компонентах.

В целом метод получения карбида кремния предполагает точный контроль химических реакций и температур для синтеза материала с уникальными свойствами, полезными во многих отраслях промышленности.

Его производство и применение продолжают развиваться благодаря технологическому прогрессу и растущему спросу на высокопроизводительные материалы в электронике и других отраслях.

Продолжайте исследовать, обратитесь к нашим экспертам

Что такое метод карбида кремния? 5 ключевых моментов для понимания

Откройте для себя передовые возможности с превосходными изделиями из карбида кремния от KINTEK SOLUTION. Воплощайте инновации с помощью наших прецизионных материалов SiC, идеально подходящих для самых требовательных применений в электронике, полупроводниках и других областях. Доверьтесь нашему опыту, чтобы обеспечить высочайшее качество материалов, способствующих технологическому прогрессу. Поднимите свои проекты на новую высоту - присоединяйтесь к семье KINTEK SOLUTION уже сегодня!

Связанные товары

Керамическая пластина из карбида кремния (SIC)

Керамическая пластина из карбида кремния (SIC)

Керамика из нитрида кремния (sic) представляет собой керамику из неорганического материала, которая не дает усадки во время спекания. Это высокопрочное соединение с ковалентной связью низкой плотности, устойчивое к высоким температурам.

Нагревательный элемент из карбида кремния (SiC)

Нагревательный элемент из карбида кремния (SiC)

Оцените преимущества нагревательного элемента из карбида кремния (SiC): Длительный срок службы, высокая устойчивость к коррозии и окислению, высокая скорость нагрева и простота обслуживания. Узнайте больше прямо сейчас!

Мишень для распыления карбида кремния (SiC) / порошок / проволока / блок / гранула

Мишень для распыления карбида кремния (SiC) / порошок / проволока / блок / гранула

Ищете высококачественные материалы на основе карбида кремния (SiC) для своей лаборатории? Не смотрите дальше! Наша команда экспертов производит и адаптирует материалы SiC в соответствии с вашими потребностями по разумным ценам. Просмотрите наш ассортимент мишеней для распыления, покрытий, порошков и многого другого уже сегодня.

Износостойкий керамический лист из карбида кремния (SIC)

Износостойкий керамический лист из карбида кремния (SIC)

Керамический лист из карбида кремния (sic) состоит из высокочистого карбида кремния и сверхтонкого порошка, который формируется путем вибрационного формования и высокотемпературного спекания.

Нитрид кремния (SiNi) керамический лист точная обработка керамика

Нитрид кремния (SiNi) керамический лист точная обработка керамика

Пластина из нитрида кремния является широко используемым керамическим материалом в металлургической промышленности благодаря своим равномерным характеристикам при высоких температурах.

Керамический лист из карбида кремния (SIC) Плоский / гофрированный радиатор

Керамический лист из карбида кремния (SIC) Плоский / гофрированный радиатор

Керамический радиатор из карбида кремния (sic) не только не генерирует электромагнитные волны, но также может изолировать электромагнитные волны и поглощать часть электромагнитных волн.

Заготовки режущего инструмента

Заготовки режущего инструмента

Алмазные режущие инструменты CVD: превосходная износостойкость, низкое трение, высокая теплопроводность для обработки цветных металлов, керамики, композитов

Инфракрасный кремний/высокопрочный кремний/монокристаллический кремниевый объектив

Инфракрасный кремний/высокопрочный кремний/монокристаллический кремниевый объектив

Кремний (Si) широко известен как один из самых прочных минеральных и оптических материалов для применения в ближнем инфракрасном (БИК) диапазоне, примерно от 1 мкм до 6 мкм.

CVD-алмаз, легированный бором

CVD-алмаз, легированный бором

Алмаз, легированный CVD бором: универсальный материал, обеспечивающий индивидуальную электропроводность, оптическую прозрачность и исключительные тепловые свойства для применения в электронике, оптике, сенсорных и квантовых технологиях.

нагревательный элемент из дисилицида молибдена (MoSi2)

нагревательный элемент из дисилицида молибдена (MoSi2)

Откройте для себя возможности нагревательного элемента из дисилицида молибдена (MoSi2) для обеспечения высокотемпературной стойкости. Уникальная устойчивость к окислению со стабильным значением сопротивления. Узнайте больше о его преимуществах прямо сейчас!

Мишень для распыления карбида титана (TiC) / порошок / проволока / блок / гранула

Мишень для распыления карбида титана (TiC) / порошок / проволока / блок / гранула

Получите высококачественные материалы из карбида титана (TiC) для своей лаборатории по доступным ценам. Мы предлагаем широкий спектр форм и размеров, включая мишени для распыления, порошки и многое другое. С учетом ваших конкретных потребностей.

CVD-алмазное покрытие

CVD-алмазное покрытие

Алмазное покрытие CVD: превосходная теплопроводность, качество кристаллов и адгезия для режущих инструментов, трения и акустических применений.


Оставьте ваше сообщение