Знание 7 ключевых применений полупроводников SiC в современных технологиях
Аватар автора

Техническая команда · Kintek Solution

Обновлено 1 неделю назад

7 ключевых применений полупроводников SiC в современных технологиях

Полупроводники SiC находят широкое применение в электронных устройствах и производственных процессах.

  1. Высокотемпературные и высоковольтные приложения: Полупроводниковые приборы SiC могут работать при высоких температурах или высоких напряжениях, или при обоих этих параметрах. Это делает их пригодными для применения там, где традиционные полупроводники могут выйти из строя, например, в силовой электронике, компонентах электромобилей и аэрокосмических системах.

  2. Устойчивость к тепловому удару: SiC обладает высокой теплопроводностью и низким тепловым расширением, что повышает его способность выдерживать резкие изменения температуры без повреждений. Это делает SiC идеальным для применений, требующих устойчивости к тепловым ударам, таких как сопла ракет, теплообменники и клапаны двигателей внутреннего сгорания.

  3. Улучшенные материалы технологической камеры: SiC может использоваться в производстве оборудования, применяемого в технологических камерах. Его преимущества включают высокую чистоту, жесткость, химическую стойкость и стойкость к окислению, способность выдерживать тепловой удар и стабильность размеров. SiC также может обеспечить низкое электрическое сопротивление, открывая новые возможности для обработки пластин и улучшая равномерность нагрева внутри камеры.

  4. Керамические компоненты для турбин: SiC используется в качестве керамического материала технического класса для компонентов турбин. Его превосходная термостойкость, высокая механическая прочность, чрезвычайная твердость и низкий коэффициент теплового расширения делают его пригодным для использования в высокотемпературных средах, характерных для турбинных систем.

  5. Производство электронных устройств: SiC используется в производстве электронных устройств для различных целей. Его можно использовать для изоляции нескольких проводящих слоев, создания конденсаторов и пассивации поверхности. SiC также используется в солнечных батареях, полупроводниковых приборах и оптически активных устройствах благодаря своим оптическим, механическим и электрическим свойствам.

  6. Печатаемые электронные устройства: SiC используется в обработке печатаемых электронных устройств для повышения эффективности процесса, обеспечения массового шаблонирования и снижения затрат. Благодаря своим свойствам он подходит для создания проводящих слоев и обеспечения изоляции в печатной электронике.

  7. Пленки PECVD: Пленки SiC PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) обладают преимуществами в полупроводниковых приложениях. Они имеют более высокую плотность емкости, напряжение пробоя и свойства частиц по сравнению с другими пленками. Пленки SiC PECVD перспективны для создания устойчивых к высоким температурам устройств MEMs (Micro-Electro-Mechanical Systems).

В целом, использование полупроводников SiC дает такие преимущества, как работа при высоких температурах, устойчивость к тепловым ударам, улучшенная обработка материалов камеры и повышенная производительность в различных электронных и производственных приложениях.

Продолжайте изучать, проконсультируйтесь с нашими специалистами

7 ключевых применений полупроводников SiC в современных технологиях

Обновите свою лабораторию с помощьювысококачественными полупроводниковыми приборами SiC от KINTEK. Наши полупроводники SiC обладают превосходной теплопроводностью, низким тепловым расширением и отличной стойкостью к тепловым ударам. Оцените преимущества улучшенного управления температурой и повышенной производительности в ваших электронных приложениях. Нужен ли вам SiC для высокотемпературных или высоковольтных операций, у KINTEK есть идеальное решение для вас.Обновите свое лабораторное оборудование сегодня и совершите революцию в процессе исследований и разработок..Свяжитесь с нами прямо сейчас чтобы узнать больше о нашей полупроводниковой продукции SiC и вывести свои эксперименты на новый уровень.

Связанные товары

Керамическая пластина из карбида кремния (SIC)

Керамическая пластина из карбида кремния (SIC)

Керамика из нитрида кремния (sic) представляет собой керамику из неорганического материала, которая не дает усадки во время спекания. Это высокопрочное соединение с ковалентной связью низкой плотности, устойчивое к высоким температурам.

Керамический лист из карбида кремния (SIC) Плоский / гофрированный радиатор

Керамический лист из карбида кремния (SIC) Плоский / гофрированный радиатор

Керамический радиатор из карбида кремния (sic) не только не генерирует электромагнитные волны, но также может изолировать электромагнитные волны и поглощать часть электромагнитных волн.

Нитрид кремния (SiNi) керамический лист точная обработка керамика

Нитрид кремния (SiNi) керамический лист точная обработка керамика

Пластина из нитрида кремния является широко используемым керамическим материалом в металлургической промышленности благодаря своим равномерным характеристикам при высоких температурах.

Нагревательный элемент из карбида кремния (SiC)

Нагревательный элемент из карбида кремния (SiC)

Оцените преимущества нагревательного элемента из карбида кремния (SiC): Длительный срок службы, высокая устойчивость к коррозии и окислению, высокая скорость нагрева и простота обслуживания. Узнайте больше прямо сейчас!

Износостойкий керамический лист из карбида кремния (SIC)

Износостойкий керамический лист из карбида кремния (SIC)

Керамический лист из карбида кремния (sic) состоит из высокочистого карбида кремния и сверхтонкого порошка, который формируется путем вибрационного формования и высокотемпературного спекания.

Инфракрасный кремний/высокопрочный кремний/монокристаллический кремниевый объектив

Инфракрасный кремний/высокопрочный кремний/монокристаллический кремниевый объектив

Кремний (Si) широко известен как один из самых прочных минеральных и оптических материалов для применения в ближнем инфракрасном (БИК) диапазоне, примерно от 1 мкм до 6 мкм.

нагревательный элемент из дисилицида молибдена (MoSi2)

нагревательный элемент из дисилицида молибдена (MoSi2)

Откройте для себя возможности нагревательного элемента из дисилицида молибдена (MoSi2) для обеспечения высокотемпературной стойкости. Уникальная устойчивость к окислению со стабильным значением сопротивления. Узнайте больше о его преимуществах прямо сейчас!

Изготовленные на заказ керамические детали из нитрида бора (BN)

Изготовленные на заказ керамические детали из нитрида бора (BN)

Керамика из нитрида бора (BN) может иметь различную форму, поэтому ее можно производить для создания высокой температуры, высокого давления, изоляции и рассеивания тепла, чтобы избежать нейтронного излучения.

Нитрид бора (BN) Керамико-проводящий композит

Нитрид бора (BN) Керамико-проводящий композит

Из-за характеристик самого нитрида бора диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери очень малы, поэтому он является идеальным электроизоляционным материалом.

Вакуумная печь для спекания под давлением

Вакуумная печь для спекания под давлением

Вакуумные печи для спекания под давлением предназначены для высокотемпературного горячего прессования при спекании металлов и керамики. Его расширенные функции обеспечивают точный контроль температуры, надежное поддержание давления, а прочная конструкция обеспечивает бесперебойную работу.

Керамическая трубка из нитрида бора (BN)

Керамическая трубка из нитрида бора (BN)

Нитрид бора (BN) известен своей высокой термической стабильностью, отличными электроизоляционными свойствами и смазывающими свойствами.


Оставьте ваше сообщение