Альтернативный материал для графена:
Графен, известный своими исключительными свойствами, подтолкнул исследования других двумерных материалов, которые могут обладать аналогичными или дополнительными характеристиками. Среди них выделяются гексагональный нитрид бора (hBN) и дихалькогениды переходных металлов (TMDC).
Гексагональный нитрид бора (hBN):
hBN - это двумерный материал, похожий по структуре на графен, но имеющий другой химический состав. Он состоит из атомов бора и азота, расположенных в гексагональной решетке. В отличие от графена, hBN является электрическим изолятором, но теплопроводником, что делает его идеальным для приложений, требующих электрической изоляции, но высокой теплоотдачи. Он часто используется в качестве подложки для поддержки графена в электронных устройствах, улучшая токо-напряженные характеристики графеновых FET. Интеграция ГБН с графеном может привести к улучшению характеристик устройств в наноэлектронике и оптоэлектронике.Дихалькогениды переходных металлов (TMDCs):
TMDCs - это семейство двумерных материалов, включающее такие соединения, как дисульфид молибдена (MoS2) и диселенид вольфрама (WSe2). Эти материалы имеют слоистую структуру, похожую на графит, но с переходными металлами, зажатыми между атомами халькогена. TMDC могут обладать полупроводниковыми свойствами, что делает их пригодными для использования в транзисторах, фотодетекторах и других электронных устройствах. Зазор в TMDC можно настраивать, что является значительным преимуществом для приложений, требующих особых электронных свойств. Сочетание ТМДК с графеном в гетероструктурах открывает перспективы для создания высокочувствительных и широкополосных электронных компонентов.
Прямой рост и гибридизация:
Прямой рост графена и других двумерных материалов на неметаллических подложках - это область исследований, направленная на преодоление проблем, связанных с процессами переноса. Для облегчения прямого роста изучаются такие методы, как катализ с использованием металлов или CVD с плазменным усилением. Гибридизация графена с другими двумерными материалами, такими как hBN и TMDCs, является еще одним подходом к улучшению свойств отдельных материалов. Эта гибридизация может быть достигнута путем послойного переноса или прямого роста, причем последний способ обеспечивает масштабируемость и меньшее загрязнение.
Индустриализация и будущие перспективы:
