Статьи

Всестороннее исследование технологии CVD, ее принципов, характеристик, классификации, новых достижений и применения в различных областях.

Обзор технологии CVD и роли специальных электронных газов в производстве полупроводников.

Подробный анализ методов осаждения тонких пленок пассивирующего слоя в ячейках TOPCon, включая технологии PVD и CVD.

В этой статье подробно описаны различные CVD- и PVD-методы осаждения неорганических тонких пленок, включая их процессы, применение и сравнение.

Рассматривается роль CVD в повышении производительности и масштабируемости халькогенидных солнечных элементов с акцентом на их преимущества и области применения.

Подробные инструкции по подготовке образцов для ЯМР, МС, хроматографии, ИК, УФ, ИСП, термогравиметрии, XRD, TEM, SEM и других приборов.

В этой статье рассматривается метод прессования порошка в спектральном анализе XRF, особое внимание уделяется методам подготовки проб и оборудованию.

Подробные шаги и требования к подготовке образцов для экспериментов по рентгеновской дифракции.

Подробное руководство по подготовке и обработке твердых, жидких и газовых образцов для инфракрасной спектроскопии.

Подробное руководство по подготовке образцов для ТЭМ, включающее методы очистки, шлифовки, полировки, фиксации и покрытия.

Обзор различных методов подготовки образцов для инфракрасного спектрального анализа.

Обзор принципов, требований к образцам и методов подготовки для инфракрасной спектроскопии in situ.

В этой статье рассматриваются методы получения и механизмы роста алмазных тонких пленок методом химического осаждения из паровой фазы (CVD), освещаются проблемы и потенциальные области применения.

Обсуждается использование выращенных алмазов в полупроводниках, теплоотводе и передовом производстве.

Рассматриваются уникальные свойства CVD-алмазов, методы их получения и разнообразные применения в различных областях.

В этой статье рассматривается применение монокристаллического алмаза MPCVD в области полупроводников и оптических дисплеев, подчеркиваются его превосходные свойства и потенциальное влияние на различные отрасли промышленности.

В этой статье рассматриваются достижения и проблемы, связанные с получением монокристаллических алмазов большого размера с помощью методов микроволнового плазмохимического осаждения из паровой фазы (MPCVD).

Подробный обзор методов и преимуществ нанесения вакуумного покрытия на архитектурное стекло с акцентом на энергоэффективность, эстетику и долговечность.

Глубокий анализ ключевых факторов, влияющих на адгезию пленок, полученных по технологии магнетронного распыления.

Рассматриваются свойства и различные области применения покрытий из алмазоподобного углерода (DLC).

Обсуждается явление отравления мишени при магнетронном распылении, его причины, последствия и профилактические меры.

В этой статье рассматривается, как различные источники питания влияют на морфологию напыленных слоев пленки, особое внимание уделяется источникам питания постоянного тока, постоянного тока и ВЧ.

В этой статье рассматриваются причины и решения проблемы сильной абляции в центральной области керамических мишеней при магнетронном распылении.

Подробное руководство по определению, методам измерения, влияющим факторам и оборудованию, используемому для оценки прочности на отрыв напыленных слоев пленки.

Обсуждаются методы обеспечения допустимой толщины пленки при нанесении покрытий магнетронным распылением для достижения оптимальных характеристик материала.

Подробный обзор плюсов и минусов покрытия электронно-лучевым испарением и его различных применений в промышленности.

Обсуждаются трудности роста пленки TiN при переменном токе и предлагаются такие решения, как напыление на постоянном токе и импульсный постоянный ток.

Подробный обзор принципов, типов, газовых применений и практического использования процессов нанесения покрытий методом PVD.

Углубленное изучение принципов проектирования тонкопленочных систем, технологических аспектов и практического применения в различных областях.

Анализ факторов, вызывающих отсутствие осаждения пленки, несмотря на свечение при магнетронном распылении.