Давление может оказывать значительное влияние на графен, в частности, через изменения, наблюдаемые в его спектре комбинационного рассеяния.
5 ключевых моментов влияния давления на графен
1. Изменения рамановского спектра
Полосы G и 2D в рамановском спектре графена чувствительны к количеству слоев.
Для однослойного графена полоса 2D обычно более интенсивна, чем полоса G.
С увеличением числа слоев интенсивность G-полосы возрастает, а 2D-полосы уменьшается.
Это изменение связано с резонансными процессами и дисперсионными тенденциями, которые зависят от положения рамановской полосы при лазерном возбуждении.
Для графена с более чем двумя слоями 2D-пик смещается к более высокому числу волн, а полная ширина при полумаксимуме (FWHM) расширяется.
Это уширение указывает на толщину слоя образца графена.
2. Влияние дефектов
Графен содержит различные структурные дефекты, такие как вакансии, морщины, функциональные группы и загрязнения.
На эти дефекты могут влиять условия роста и подложка.
Дефекты могут влиять на свойства и применение графена.
Например, эпитаксиально выращенный графен на поверхности Cu(111) может иметь больше остаточных напряжений и меньше морщин или складок.
Контроль дефектов в графене имеет решающее значение для получения высококачественных пленок.
Понимание процесса образования дефектов и контроля над ними все еще развивается, но это очень важно для оптимизации синтеза графена с равномерным количеством слоев и контролируемым порядком укладки.
3. Последствия для синтеза и характеризации
Синтез многослойного графена с равномерным количеством слоев и контролируемым порядком укладки или углом скручивания является сложной задачей.
Используются такие методы, как химическое осаждение из паровой фазы (CVD), но механизмы и воспроизводимость получения высококачественного графена еще не до конца изучены.
Для изучения и определения характеристик образцов графена используются такие методы, как рамановская спектроскопия, рентгеновская спектроскопия, просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) и сканирующая электронная микроскопия (СЭМ).
Эти методы помогают понять влияние давления и других условий синтеза на свойства графена.
Продолжайте исследовать, обратитесь к нашим экспертам
Откройте для себя передовые возможности KINTEK SOLUTION для продвижения ваших исследований в области определения характеристик графена.
С помощью наших передовых решений в области спектроскопии комбинационного рассеяния света вы сможете с точностью проанализировать изменения в G- и 2D-полосах, вызванные давлением.
Помощь в синтезе высококачественных, контролируемых по дефектам графеновых пленок.
Доверьтесь KINTEK SOLUTION, чтобы обеспечить вашу лабораторию инструментами и опытом, необходимыми для более глубокого изучения удивительных свойств графена.
Свяжитесь с нами прямо сейчас, чтобы узнать, как наши решения могут способствовать развитию ваших исследований!
