Карбид кремния (SiC) действительно обладает высокой теплопроводностью, что является одним из его отличительных свойств.Теплопроводность SiC варьируется в зависимости от его формы и процесса производства: от 30-40 Вт/(м∙K) для рекристаллизованных и жидкофазных спеченных материалов до 490 Вт/(м∙K) для монокристаллического SiC.Для SiC, полученного методом химического осаждения из паровой фазы (CVD), теплопроводность обычно составляет не менее 150 Вт/мК, что выше, чем у обычных сталей и чугуна.Такая высокая теплопроводность в сочетании с низким тепловым расширением и отличной стойкостью к тепловым ударам делает SiC отличным материалом для высокотемпературных применений и сред, требующих эффективного отвода тепла.
Ключевые моменты:
-
Диапазон теплопроводности карбида кремния:
- Карбид кремния имеет широкий диапазон значений теплопроводности в зависимости от его формы и технологии производства.
- Рекристаллизованные и жидкофазные спеченные материалы SiC имеют теплопроводность в диапазоне 30-40 Вт/(м∙K).
- У монокристаллического SiC теплопроводность может достигать 490 Вт/(м∙К).
- CVD SiC обычно имеет теплопроводность не менее 150 Вт/мК, что выше, чем у многих распространенных металлов, таких как сталь и чугун.
-
Сравнение с другими материалами:
- Теплопроводность SiC значительно выше, чем у многих других керамик и даже некоторых металлов.
- Например, теплопроводность обычных сталей и чугуна ниже, чем у CVD SiC, что делает SiC лучшим выбором для приложений, требующих эффективного отвода тепла.
-
Влияние температуры на теплопроводность:
- Хотя SiC обладает высокой теплопроводностью, важно отметить, что это свойство может снижаться с повышением температуры.
- Эту температурную зависимость необходимо тщательно учитывать при выборе SiC для конкретных высокотемпературных применений.
-
Области применения, в которых выгодно использовать высокую теплопроводность:
- Высокая теплопроводность SiC делает его идеальным для применения в высокотемпературных средах, например, в аэрокосмической, автомобильной промышленности и силовой электронике.
- Его способность эффективно рассеивать тепло помогает поддерживать производительность и долговечность компонентов в этих сложных условиях.
-
Дополнительные свойства, улучшающие тепловые характеристики:
- SiC также имеет низкое тепловое расширение (4,0x10-6/°C), что способствует его превосходной устойчивости к тепловым ударам.
- Такое сочетание высокой теплопроводности и низкого теплового расширения делает SiC особенно подходящим для применения в тех областях, где термическая стабильность имеет решающее значение.
Таким образом, высокая теплопроводность карбида кремния, наряду с другими его исключительными свойствами, такими как низкое тепловое расширение и высокая устойчивость к тепловым ударам, делает его весьма востребованным материалом для широкого спектра высокотемпературных и термоемких применений.
Сводная таблица:
| Свойство | Значение/описание |
|---|---|
| Диапазон теплопроводности | 30-490 Вт/(м∙К) в зависимости от формы и производственного процесса |
| Теплопроводность CVD SiC | ≥150 Вт/мК (выше, чем у стали и чугуна) |
| Монокристаллический SiC | До 490 Вт/(м∙К) |
| Низкое тепловое расширение | 4.0x10-6/°C |
| Области применения | Аэрокосмическая промышленность, автомобилестроение, силовая электроника и высокотемпературные среды |
Узнайте, как карбид кремния может улучшить ваши высокотемпературные приложения. свяжитесь с нами сегодня чтобы получить квалифицированную консультацию!
