Карбид кремния (SiC) не является хорошим электрическим изолятором; более того, некоторые формы карбида кремния, особенно полученные методом химического осаждения из паровой фазы (CVD), обладают низким электрическим сопротивлением, что делает их отличными проводниками электричества. Это свойство особенно заметно в "низкоомном CVD-карбиде кремния", который имеет объемное удельное сопротивление менее 0,1 Ом-см.
Объяснение электропроводности SiC:
Электропроводность карбида кремния зависит от метода его производства и конкретных условий, в которых он обрабатывается. Карбид кремния CVD, в частности, может иметь очень низкое электрическое сопротивление, около одного Ом-см, что классифицирует его как проводник, а не изолятор. Такое низкое сопротивление обусловлено высокой чистотой и точным контролем процесса осаждения, что позволяет создавать материал с меньшим количеством дефектов и примесей, которые в противном случае препятствовали бы потоку электронов.Области применения, в которых используется электропроводность SiC:
Электропроводящие свойства CVD-карбида кремния открывают возможности для различных применений в полупроводниковой промышленности. Он используется в таких компонентах, как суспензоры, камеры обработки, газораспределительные пластины и электростатические патроны, где электропроводность имеет решающее значение. Кроме того, его способность проводить электричество позволяет использовать методы электроэрозионной обработки (EDM) при изготовлении прецизионных деталей, что особенно полезно для создания небольших отверстий с высоким отношением сторон.
Контраст с общими свойствами SiC:
Хотя CVD-карбид кремния проявляет проводящие свойства, важно отметить, что не все формы карбида кремния являются проводящими. Общий карбид кремния, особенно спеченный или реакционно-связанный, может обладать изоляционными свойствами в зависимости от его чистоты и микроструктуры. Защитный слой оксида кремния, который образуется на SiC на воздухе при высоких температурах, также может усиливать его изоляционные свойства.
